YMIN-Dünnschichtkondensatoren ergänzen Infineons CoolSiC™ MOSFET G2 perfekt
Der Siliziumkarbid-CoolSiC™-MOSFET G2 der neuen Generation von Infineon ist führend in der Innovation im Energiemanagement. YMIN-Dünnschichtkondensatoren mit niedrigem ESR-Design, hoher Nennspannung, geringem Leckstrom, hoher Temperaturstabilität und hoher Kapazitätsdichte unterstützen dieses Produkt optimal und tragen zu hoher Effizienz, hoher Leistung und hoher Zuverlässigkeit bei. Damit stellt es eine neue Lösung für die Energieumwandlung in elektronischen Geräten dar.
Funktionen und Vorteile von YMINDünnschichtkondensatoren
Niedriger ESR:
Das Low-ESR-Design der YMIN-Dünnschichtkondensatoren bewältigt hochfrequentes Rauschen in Stromversorgungen effektiv und ergänzt die niedrigen Schaltverluste des CoolSiC™ MOSFET G2.
Hohe Nennspannung und geringe Leckage:
Die hohe Nennspannung und der niedrige Leckstrom der YMIN-Dünnschichtkondensatoren verbessern die Hochtemperaturstabilität des CoolSiC™ MOSFET G2 und bieten so eine robuste Unterstützung der Systemstabilität in rauen Umgebungen.
Hohe Temperaturstabilität:
Die hohe Temperaturstabilität der YMIN-Dünnschichtkondensatoren in Kombination mit dem überlegenen Wärmemanagement des CoolSiC™ MOSFET G2 verbessert die Systemzuverlässigkeit und -stabilität weiter.
Hohe Kapazitätsdichte:
Die hohe Kapazitätsdichte von Dünnschichtkondensatoren bietet mehr Flexibilität und Platzausnutzung beim Systemdesign.
Abschluss
YMIN-Dünnschichtkondensatoren bieten als ideale Partner für Infineons CoolSiC™ MOSFET G2 großes Potenzial. Die Kombination beider Komponenten verbessert die Systemzuverlässigkeit und -leistung und bietet so eine bessere Unterstützung für elektronische Geräte.
Veröffentlichungszeit: 27. Mai 2024