YMIN-Dünnschichtkondensatoren ergänzen den CoolSiC™ MOSFET G2 von Infineon perfekt
Infineons Siliziumkarbid-CoolSiC™-MOSFET G2 der neuen Generation ist führend bei Innovationen im Energiemanagement. YMIN-Dünnschichtkondensatoren bieten mit ihrem Design mit niedrigem ESR, hoher Nennspannung, niedrigem Leckstrom, hoher Temperaturstabilität und hoher Kapazitätsdichte eine starke Unterstützung für dieses Produkt und tragen dazu bei, einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Leistung und eine hohe Zuverlässigkeit zu erreichen eine neue Lösung zur Stromumwandlung in elektronischen Geräten.
Merkmale und Vorteile von YMINDünnschichtkondensatoren
Niedriger ESR:
Das niedrige ESR-Design der YMIN-Dünnschichtkondensatoren bewältigt hochfrequentes Rauschen in Netzteilen effektiv und ergänzt die geringen Schaltverluste des CoolSiC™ MOSFET G2.
Hohe Nennspannung und geringe Leckage:
Die hohe Nennspannung und der niedrige Leckstrom der YMIN-Dünnschichtkondensatoren verbessern die Hochtemperaturstabilität des CoolSiC™ MOSFET G2 und bieten eine robuste Unterstützung für die Systemstabilität in rauen Umgebungen.
Hohe Temperaturstabilität:
Die hohe Temperaturstabilität der YMIN-Dünnschichtkondensatoren in Kombination mit dem hervorragenden Wärmemanagement des CoolSiC™ MOSFET G2 verbessert die Systemzuverlässigkeit und -stabilität weiter.
Hohe Kapazitätsdichte:
Die hohe Kapazitätsdichte von Dünnschichtkondensatoren bietet eine größere Flexibilität und Platzausnutzung beim Systemdesign.
Abschluss
YMIN-Dünnschichtkondensatoren zeigen als idealer Partner für Infineons CoolSiC™ MOSFET G2 großes Potenzial. Die Kombination der beiden verbessert die Systemzuverlässigkeit und -leistung und bietet eine bessere Unterstützung für elektronische Geräte.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 27. Mai 2024